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镀膜机
真空镀膜机概述

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要根据志愿者的特长和农村留守儿童的需求,合理确定服务内容和课程,强化暑期安全教育。各方应该坚定奉行双赢、多赢、共赢理念,在谋求自身安全时兼顾他国安全,努力走出一条互利共赢的安全之路。

真空镀膜机主要指一类需要在较高真空度下进行的镀膜,具体包括很多种类,包括真空离子蒸发,磁控溅射,MBE分子束外延,PLD激光溅射沉积等很多种。真空镀膜机主要思路是分成蒸发和溅射两种。需要镀膜的被称为基片,镀的材料被称为靶材。基片与靶材同在真空腔中。蒸发镀膜一般是加热靶材使表面组分以原子团或离子形式被蒸发出来。并且沉降在基片表面,通过成膜过程(散点-岛状结构-迷走结构-层状生长)形成薄膜。对于溅射类镀膜,可以简单理解为利用电子或高能激光轰击靶材,并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来,并且最终沉积在基片表面,经历成膜过程,最终形成薄膜。

实验室常用设备

真空镀膜机技术资料

真空镀膜机解决方案

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真空镀膜仪

真空镀膜仪

  • 品牌: 美国泰德派勒
  • 型号: 108 Manual
  • 产地:美国
  • 108 manual是一款结构紧凑的桌上型镀膜系统,特别适用于扫描电镜成像中非导电样品高质量镀膜。

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真空镀膜仪

真空镀膜仪

  • 品牌: 美国泰德派勒
  • 型号: 108 AUTO
  • 产地:美国
  • 英国CRESSINGTON 108 Auto是一款结构紧凑的桌上型镀膜系统,特别适用于扫描电镜成像中非导电样品高质量镀膜。

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手动镀金仪

手动镀金仪

  • 品牌: 美国泰德派勒
  • 型号: 108
  • 产地:美国
  • 品牌:英国Cressington 108 manual是一款结构紧凑的桌上型镀膜系统,特别适用于扫描电镜成像中非导电样品高质量镀膜。

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自动(镀)金仪

自动(镀)金仪

  • 品牌: 美国泰德派勒
  • 型号: 108
  • 产地:美国
  • 108 Auto是一款结构紧凑的桌上型镀膜系统,特别适用于扫描电镜成像中非导电样品高质量镀膜。

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自动镀碳仪

自动镀碳仪

  • 品牌: 美国泰德派勒
  • 型号: 108C
  • 产地:美国
  • 108C Auto是用于扫描电镜能谱分析的最先进的镀碳仪之一。

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ACE真空镀膜仪

ACE真空镀膜仪

  • 品牌: 徕卡显微系统
  • 型号: EM ACE200
  • 产地:德国
  • Leica EM ACE 镀膜仪 全新一代ACE系列镀膜仪是徕卡与前沿科学家合作研发的结晶,它涵盖了您在样品制备过程中所需的所有镀膜需求,从常温镀膜到冷冻断裂/冷冻镀膜. 样品进行扫描电镜观察前,通常需要对其表面镀一层金属膜,以便减少观察时产生的荷电,并增强二次电子或背散射电子信号,获得更好的信噪比。 Leica EM ACE200是一款低真空镀膜仪,可以选择离子溅射镀金属膜或者碳丝蒸发镀碳膜功能,或者同时具有这两种功能。能够满足日常SEM需求,也可用于X-射线能谱及波谱分析,或者TEM铜网镀碳膜。全自动电脑控制,自动完成抽真空,镀膜,放气等全过程,一键操作。采用当下非常流行的触摸屏控制,简单方便。 碳丝蒸发的新纪元 厚达40nm的碳膜可以被精确设定并准确获得,通过脉冲碳丝蒸发,结合连续膜厚监控(石英片膜厚控制),和独特的软件控制来实现。碳膜因此实现高度可重复性和均匀性。得益于可拆卸式玻璃门,挡板和样品室屏蔽内壁,镀膜源和样品台,样品室内部清洁工作非常简便。主要特点:少…? 操作者干预时间和专业知识? 投入成本? 桌面占用面积? 密封表面-单门式设计? 清洁工作-可拆卸式玻璃门,样品室屏蔽内壁和挡板? 操作工作-简易的插入式连接设计-无需借助工具…即是多? 直观的触摸屏设计和自动化过程控制? 可定制硬件配置,软件可升级? 实验室空间? 可视化,装样简便,抽真空快速? 镀膜高效,使您的工作时间更自由? 镀膜更纯,膜厚更精准,结果重复性更好技术指标: 可任选离子溅射模式、碳丝蒸发镀碳模式,或者双模式,可选辉光放电(用于网格表面亲水化) 专利设计脉冲式碳丝蒸发方式,可精确控制碳膜厚度 可选石英膜厚检测器,精确控制镀膜厚度,精度达0.1nm 全自动程序控制,自动完成抽真空,镀膜,放气等过程 触摸屏控制,简单方便 真空度7×10-3mbar 溅射电流:0-150mA可调 方形样品仓专利设计,样品仓尺寸:140mm(宽)×145mm(深)×150mm(高) 工作距离调节范围:30mm-100mm

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R&D Cluster tools 研发用团簇

R&D Cluster tools 研发用团簇

  • 品牌:
  • 型号: Cluster
  • 产地:美国
  • R&D Cluster tools 研发用团簇PECVD PVDR&D Cluster toolsCluster tool w/ 8 port locations具有8个腔室的团簇型沉积系统30x40cm substrate衬底尺寸为30x40cmComputer controlled可完全由电脑程序控制操作运行?PECVD, HWCVD and Sputter capability 制备方式包括等离子体和热丝化学气相沉积,及溅射。

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制备多晶硅太阳电池的氮化硅涂层沉积设备

制备多晶硅太阳电池的氮化硅涂层沉积设备

  • 品牌:
  • 型号: SiNx-PECVD
  • 产地:美国
  • 用于制备多晶硅太阳电池的氮化硅涂层沉积设备 MVSSilicon Nitride Coating Systems for Multi-crystalline Silicon Solar CellsThroughput: >475 wafers/hrSiNx uniformity: < ?5%产率:>475硅片/小时。氮化硅膜不均匀性:< 5%。

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在线式HIT用PECVD MVS

在线式HIT用PECVD MVS

  • 品牌:
  • 型号: HIT-PECVD
  • 产地:美国
  • 在线式HIT用PECVDIn-Line PECVD system for HIT junctions用于制备高效异质结太阳电池的直线型等离子体化学气相沉积系统Throughput: 18 wafers (6”)/cycle产率:18片6硅片/循环

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卷对卷柔性薄膜沉积设备 MVS

卷对卷柔性薄膜沉积设备 MVS

  • 品牌:
  • 型号: Reel to Reel Cassette System
  • 产地:美国
  • 卷对卷柔性薄膜沉积设备Cassette houses flexible material卷筒用于装载柔性衬底材料Cassette transported from one process chamber to another via a robotic handler制备薄膜时,卷筒可由真空机器手从一个腔室输送至另一个腔室Advantages 此沉积系统的优点- Eliminates cross-contamination 在制备多层膜器件时消除了交互掺杂影响- Flexibility to adjust parameters on any part of the process. 制备薄膜时,能灵活控制各种运转沉积参数- Down time reduced, i.e. each chamber can be serviced independently 因每个腔室可单独维护,减少了停机非运转时间Reel to Reel Cassette Cluster toolsCluster tool w/ 8 port locations具有8个腔室的团簇型沉积系统15cm and 30cm webwidth柔性衬底的宽度可从15cm至30cmComputer controlled可完全由电脑程序控制操作运行PECVD, HWCVD and Sputter capability制备方式包括等离子体和热丝化学气相沉积,及溅射(US patent #6,258,408B1)(本产品获美国专利#6,258,408B1)

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PECVD  MVS

PECVD MVS

  • 品牌:
  • 型号: MVS-PECVD
  • 产地:美国
  • 薄膜沉积设备PECVD MVS优德w88简介MVSystems, Inc. 由曼登博士(Dr. Arun Madan)创建于1989年。曼登博士曾在英国丹迪大学从师于斯皮尔(Walter Spear)教授,是1970年代最早从事非晶硅材料和器件研究的人员之一。曼登博士在非晶硅薄膜晶体管(TFT)方面进行了开创性的研究,这是他的博士论文的主要内容之一。非晶硅薄膜晶体管现已成为平板显示器中必不可缺的重要器件。优德w88在薄膜半导体技术和先进的高真空半导体薄膜沉积设备方面拥有14项专利,包括:多腔室PECVD沉积系统 主要产品 ? 用于柔性衬底的Reel-to-reel多室系统 - 主要产品碳热丝化学气相沉积设备 掺氟纳米硅(微晶硅)材料P型宽带隙非晶硅材料 掺氟二氧化锡绒面透明导电膜(与日本Asahi优德w88合作)优德w88生产制造的80多台设备已销往全世界23个国家和地区。优德w88生产的主要薄膜材料和器件产品包括:材料器件非晶硅(a-Si:H)薄膜硅太阳电池纳米(微晶)硅 (nc-Si)薄膜晶体管氮化硅(SiNx),氧化硅(SiOx),氮氧化硅(SiON)成像器件氧化锌(AZO),铟锡氧化物(ITO), 二氧化锡(SnO2)X光探测器MVSystems优德w88设计,制造和提供各类单腔室和多腔室薄膜沉积设备。另外,根据用户的需求,各种PECVD,HWCVD,和PVD腔室可以单个制造,也可配备到现有的团簇型(星型)或是直线型沉积系。我们优德w88的工程设计部门尽可能为用户着想,以使用户们获取他们最需要的且价格合适的设备。R&D toProduction可用于研发和生产?PECVD等离子化学气相沉积?HWCVD热丝化学气相沉积?Sputter溅射?Anneal退火处理R&D Cluster toolsCluster tool w/ 8 port locations具有8个腔室的团簇型沉积系统15.6x15.6cm substrates衬底尺寸为15.6x15.6cmComputer controlled可完全由电脑程序控制操作运行PECVD, HWCVD and Sputter capability制备方式包括等离子体和热丝化学气相沉积,及溅射R&D Cluster toolsCluster tool w/ 10 port locations具有10个腔室的团簇型沉积系统15.6x15.6cm substrate衬底尺寸为15.6x15.6cmComputer controlled可完全由电脑程序控制操作运行PECVD, HWCVD, Sputter capability and in-vacuum characterization module制备方式包括等离子体和热丝化学气相沉积,以及溅射。另外,该系统还带有一个测试腔, 用于在真空中测试所制备样品的光电子性能。R&D Cluster toolsCluster tool w/ 8 port locations具有8个腔室的团簇型沉积系统30x40cm substrate衬底尺寸为30x40cmComputer controlled可完全由电脑程序控制操作运行PECVD, HWCVD and Sputter capability 制备方式包括等离子体和热丝化学气相沉积,及溅射。Silicon Nitride Coating Systems for Multi-crystalline Silicon Solar Cells用于制备多晶硅太阳电池的氮化硅涂层沉积设备In-Line PECVD system for HIT junctions用于制备高效异质结太阳电池的直线型等离子体化学气相沉积系统Throughput: 18Reel to Reel Cassette SystemCassette houses flexible material卷筒用于装载柔性衬底材料Cassette transported from one process chamber to another via a robotic handler制备薄膜时,卷筒可由真空机器手从一个腔室输送至另一个腔室Advantages 此沉积系统的优点- Eliminates cross-contamination 在制备多层膜器件时消除了交互掺杂影响- Flexibility to adjust parameters on any part of the process. 制备薄膜时,能灵活控制各种运转沉积参数- Down time reduced, i.e. each chamber can be serviced independently 因每个腔室可单独维护,减少了停机非运转时Reel to Reel Cassette Cluster toolsCluster tool w/ 8 port locations具有8个腔室的团簇型沉积系统15cm and 30cm webwidth柔性衬底的宽度可从15cm至30cmComputer controlled可完全由电脑程序控制操作运行PECVD, HWCVD and Sputter capability制备方式包括等离子体和热丝化学气相沉积,及溅射Amorphous silicon- intrinsic and doped (n+ and p+ type).非晶硅本征和掺杂(n+ and p+ 型)膜。Nano (or micro) crystalline silicon (intrinsic and doped)纳米(或者微晶)硅 (本征和掺杂)膜。Dielectrics (SiNx, SiOx)介质薄膜(如SiNx, SiOx)。Transparent conducting oxides (ITO, AZO)透明导电薄膜 (如ITO,AZO)。Solar cells, TFT’s, imaging and memory devices etc. 太阳电池,非晶硅薄膜晶体管,电子成像和存储器件等。In-house Cluster ToolSubstrate: 30x40cmDC, RF, pulsed-RF, VHF

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热丝CVD设备HWCVD MVS

热丝CVD设备HWCVD MVS

  • 品牌:
  • 型号: MVS
  • 产地:美国
  • 热丝薄膜沉积设备MVSystems 优德w88设计,制造和提供各类单腔室和多腔室薄膜沉积设备。另外,根据用户的需求,各种PECVD,HWCVD,和PVD腔室可以单个制造,也可配备到现有的团簇型(星型)或是直线型沉积系统。MVSystems具有制造用于各类研发,中试以及小型生产设备的强大能力和丰富经验,所生产的设备已成功地使用在全世界23个国家的大学,研究院所和优德w88。我们优德w88的工程部门可最大限度地为用户着想, 以使用户们获取他们最需要的且价格合适的设备。作为设备销售的一部分,我们还能向用户保证薄膜半导体材料具有最佳光电子性能参数。这些材料包括非晶硅,纳米硅(微晶硅),介质材料(比如氮化硅和氧化硅)和透明导电膜。其他业务 MVSystems 优德w88拥有各类研发设施和技术人员,具备开发各种光电子薄膜技术的能力。研发: 可以为全球的大学,政府研究机构和优德w88提供服务。代工服务: 使用计算机控制的大面积团簇型(星型)等离子辉光放电(PECVD)/溅射系统,MVSystems 优德w88可以为用户提供如下各类薄膜材料和器件,包括:非晶硅本征和掺杂(n+ and p+ 型)膜。纳米(或者微晶)硅 (本征和掺杂)膜。介质材料(如SiNx, SiOx)。透明导电薄膜 (如ITO,AZO)。太阳电池,非晶硅薄膜晶体管,电子成像和存储器件等。研发设施: 在优德w88实验室内配置了具有高度安全性的监测系统用于监控和处理各类危险有毒气体,比如硅烷等。(1) 大面积团簇型薄膜沉积系统:最大衬底面积可达30厘米×40厘米,具有6个PECVD腔室(配有射频,甚高频电源以及具有脉冲调制功能)和1个双靶位溅射系统(配有直流和射频电源),以及多片仓位功能。整个操作可由电脑控制。(2) 热蒸发系统用于制作金属电极。(3) 太阳电池测试系统:配有符合AM1.5G光谱的氙灯光源。可用于测量电池的光暗I-V曲线和量子效率。也可用作测试各类半导体薄膜的光暗电导率以及γ参数。(4) 电导率激活能测试系统。(5) 红外光谱测试仪。(6) 紫外至红外光的透射和反射测量仪,配置有积分球。(7) 椭偏仪用于测量薄膜厚度和介电常数。(8) 台阶仪用于测量薄膜厚度。(9) 光发射谱仪用于实时监控等离子体过程。(10) 各种光源,滤波片,示波仪,显微镜以及其它实验室通用仪器。

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奥匹维特 高真空电阻蒸发镀膜设备

奥匹维特 高真空电阻蒸发镀膜设备

  • 品牌: 营口奥匹维特
  • 型号: 高真空电阻蒸发镀膜设备
  • 产地:
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ETD-100AF 热蒸发镀膜机

ETD-100AF 热蒸发镀膜机

  • 品牌:
  • 型号: ETD-100AF
  • 产地:
  • 仪器简介:原理:ETD-100AF 是高真空热蒸发式小型镀膜机。采用电阻式蒸发原理,利用大电流加热钼舟或钨丝蓝或固定支架上的镀膜材料,使其在高真空下蒸发,沉积在被镀样品上以获得最佳镀膜效果。适用范围: 电子显微镜样品制备和清洁光栏,以及科研、教学和企业中的实验活动、工艺试验。技术参数:配置和参数:* 真空室: 直径230mm,高度:280mm * 靶材料: 碳、金等。 * 电极(两对): 一对用于钼舟或钨丝栏,一对蒸碳。 * 最大电流: 100A * 最大电压: 10V * 极限真空: 1×10 Pa * 工作真空: 2×10 Pa * 加热功率: 1000W* 机械泵:4 升/每秒,AC 220V/50Hz * 复合分子泵: 600升/秒,AC 220V/50Hz(风冷)主要特点:特点:使用了大抽速、高压缩比、自然风冷却复合分子泵,确保喷镀时能够迅速抽掉蒸发源和样品放出的气体;正常情况下喷镀室内极少有油蒸气回流,非常清洁。可蒸发的材料: 碳、金等。

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PECVD沉积

PECVD沉积

  • 品牌: 美国Trion
  • 型号: Minilock-Orion III PECVD
  • 产地:美国
  • PECVD沉积Minilock-Orion III是一套最先进的等离子增强型化学汽相沉积(PECVD)系统。 系统的下电极尺寸可为200mm或300mm,且根据电极配置,可以处理单个基片或带承片盘的基片(3”- 300mm尺寸),或者多尺寸批处理基片(4x3”; 3x4”; 7x2”)。Minilock-Orion III用于有毒/发火PECVD工艺。沉积薄膜:氧化物、氮氧化物、氮化物、无定形硅和碳化硅。工艺气体:100%硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亚氮、氧、氮、三甲基硅烷和甲烷。该系统可选配一个三极管(Triode)或电感耦合等离子(ICP)源。三极管源使得用户可以创建高密度等离子,从而控制薄膜应力。基片通过预真空室装入工艺室,其避免了与工艺室以及任意残余沉积副产品接触,从而提高了用户的安全性。预真空室还使得工艺室始终保持在真空下,从而保持反应室与大气隔绝。

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AT-400 原子层沉积

AT-400 原子层沉积

  • 品牌: 美国ANRIC
  • 型号: AT-400
  • 产地:美国
  • 原子层沉积(Atomic layer deposition, ALD)是通过将气相前驱体脉冲交替的通入反应器,化学吸附在沉积衬底上并反应形成沉积膜的一种方法,是一种可以将物质以单原子膜形式逐层的镀在衬底表面的方法。因此,它是一种真正的“纳米”技术,以精确控制方式实现纳米级的超薄薄膜沉积。由于ALD利用的是饱和化学吸附的特性,因此可以确保对大面积、多空、管状、粉末或其他复杂形状基体的高保形的均匀沉积。

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Bench-Top Plasma Tool

Bench-Top Plasma Tool

  • 品牌: 美国AGS Plasma
  • 型号: AGS TT-RIE/CVD/PECVD
  • 产地:美国
  • AGS Plasma Systems, Inc.Now Celebrating Our 25th year! 美国AGS优德w88成立于1991年,在等离子系统领域已有25年的历程,是一家历史悠久的等离子系统供应商,提供的真空等离子系统主要应用于图案转换中薄膜沉积,刻蚀,如微电子,MEMS,光伏,光电,纳米科技等行业领域。2012年Semicon West ,AGS优德w88推出一个新型的,桌面式 TT-150RIE/CVD 系统,非常经济实用,对世界各地大学,研究所来说这样如此特色的RIE和CVD应用是非常完美的。模块化的TT-150适合半导体MEMS,TFT,PV的2寸---6寸应用。AGS TT 等离子系统在一个平台上提供了所有的功能特征RIE,PECVD,和等离子刻蚀PE都能在一个易操作,低维护,实用简单的平台上实现,同时可以根据您的工艺要求升级您的需求当您需要更换工艺技术是,腔体的部件,材料,进气装置提供更多的工艺扩展AGS依靠优德w88丰富的经验为新工艺开发提供低成本的先进的技术资源便于提前研发先进的领域技术桌面式,占地面积小,节省实验室空间工艺控制简单,易于使用者操作兼容等离子刻蚀PE和PECVD,成本低

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HMDS真空镀膜机

HMDS真空镀膜机

  • 品牌:
  • 型号: HMDS-090-DM
  • 产地:
  • HMDS真空镀膜机一、HMDS真空镀膜机的预处理系统的重要性在半导体生产工艺中,光刻是至关重要的一个工艺环节,而涂胶工艺的好坏,直接影响到光刻的质量,所以涂胶也显得尤为必要,尤其在所刻线条比较细的时候,任何一个环节有一点纰漏,都可能导致光刻的失败。在涂胶工艺中,所用到的光刻胶绝大多数是疏水的,而晶片表面的羟基和残留的水分子是亲水的,如果在晶片表面直接涂胶的话,势必会造成光刻胶和晶片的粘合性较差,甚至造成局部的间隙或气泡,涂胶厚度和均匀性都受到了影响,从而影响了光刻效果和显影。为了解决这一问题,涂胶工艺中引入了一种化学制剂,即HMDS,它的英文全名叫Hexamethyldisilazane(HMDS),化学名称叫六甲基二硅氮甲烷,把它涂到硅片表面后,通过加温可反应生成以硅氧烷为主题的化合物,这实际上是一种表面活性剂,它成功地将硅片表面由亲水变为疏水,其疏水基可很好地与光刻胶结合,起到耦合的作用,再者,在显影的过程中,由于它增强了光刻胶与基底的粘附力,从而有效地抑制刻蚀液进入掩模与基底的侧向刻蚀。 最初,人们用液态的HMDS直接涂到晶片上,然后借着晶片的高速旋转在晶片表面形成一层HMDS膜。这样就阶段性的解决了基片和光刻胶之间的结合问题,但随着光刻线条的越来越细,胶的越来越薄,对粘附力提出了更高的要求,于是我们研制出了现在的HMDS预处理系统。二、 HMDS预处理系统的优越性(1)预处理性能更好,是在经过数次的氮气置换再进行的HMDS处理,所以不会有尘埃的干扰,再者,由于该系统是将"去水烘烤"和HMDS处理放在同一道工艺,同一个容器中进行,晶片在容器里先经过100℃-200℃的去水烘烤,再接着进行HMDS处理,不需要从容器里传出,而接触到大气,晶片吸收水分子的机会大大降低,所以有着更好的处理效果。(2)处理更加均匀。由于它是以蒸汽的形式涂布到晶片表面上,所以有液态涂布不可比拟更好的均匀性。(3)效率高。液态涂布是单片操作,而本系统一次可以处理多达多盒的晶片。(4)更加节省药液。实践证明,用液态HMDS涂布单片所用的药液比用本系统处理多盒晶片所用药液还多;(5)更加环保和安全,HMDS是有毒化学药品,人吸入后会出现反胃、呕吐、腹痛、刺激胸部、呼吸道等,由于整个过程是在密闭的环境下完成的,所以不会有人接触到药液及其蒸汽,也就更加安全,它的尾气是直接由机械泵抽到尾气处理机,所以也不会对环境造成污染。三、系统结构整个系统由加热、真空系统、充氮、加药和控制模块等5部分组成。1.加热模块由于工艺的整个过程都需要在150℃左右的环境下进行,所以自始至终加热系统都在工作。本系统采用在腔体外侧加热,采用人工智能PID调节仪实现闭环控制,调节仪控制固态继电器的输出,从而实现温度的精确稳定控制,测温采用通用的高精度热敏电阻Pt100。2.真空模块由机械泵、真空组件、真空测量等组成,主要作用是置换气体和抽走剩余的HMDS蒸汽,不再赘述。3.充氮模块作用是在置换过程中,用氮气来逐渐稀释空气或药液蒸汽,从而最终替换空气或药液蒸汽的气氛。主要由氮气源、控制阀和喷头组成。4.加药模块加药模块的作用是在需要的时候把药液变成蒸汽,均匀的涂布到晶片表面。它主要由药液瓶,接口、控制阀和喷头组成。5.控制模块控制模块是本系统的核心模块,它的作用是控制各个模块的动作和时序,完成整个工艺过程。它主要由人机界面,CPU控制中心,控制接口和输出部件,报警等5部分组成。人机界面采用台湾威纶通触摸屏来实现参数、状态等界面的显示和参数的设定输入。PLC采用三凌FX系列小型化PLC。6.软件组成整个控制软件共分4个部分,即自动运行、手动控制、参数设定、帮助。当按下自动运行键后,画面转换到运行画面,显示当前的工艺状态,运行时间等,同时系统开始运行。7.运行流程首先打开真空泵、开始抽真空、待腔内真空度达到某高真空度(该值可预设)后,开始充入氮气,充到达到某低真空度(该值也可预设)后的再次重复抽真空、充入氮气的过程,达到设定的充入氮气的次数后再次抽真空,然后充入药液,达到设定时间后,停止充入药液,进入保持阶段。当到达设定的保持时间后,再次开始抽真空、充入氮气,次数为设定值,当系统自动工作完成后,画面切换到结束画面,同时给出声光报警等待取片,在自动工作过程中若出现异常可点击运行画面中的停止键,随时终止程序的运行。流程控制:液晶触摸屏(台湾威纶通)、PLC控制(三菱),流程可编辑,可以预存5组程序。(可按照用户使用要求更改流程)氮气装置:氮气进入箱内有调压装置,控制有自动阀完成。HMDS装置:HMDS药液进入箱内采用压力差吸取瓶内HMDS方式,自动阀控制四、产品特征:1)设备外壳采用SS41粉末静电喷涂,内胆为不锈钢316L材质;采用无缝不锈钢加热管,均匀分布在内胆外壁,内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置;内门采用钢化、防弹双层玻璃观察窗,便于观察工作室内物品实验情况。2)箱门闭合松紧能调节,整体成型的硅橡胶门封圈,确保箱内保持高真空度。3) 采用微电脑PID控制,系统具有自动控温,定时,超温报警等,采用LCD液晶显示,触摸式按钮,简单易用,性能稳定.4)智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序、温度、真空度及每一程序时间。5)HMDS气体密闭式自动吸取添加设计,使真空箱密封性能极好,确保HMDS气体无外漏顾虑。6)整个系统采用优质医用级316L不锈钢材料制作,无发尘材料,适用百级光刻间净化环境。 7)管路:SUS316洁净管8)隔板:SUS316材质四、HMDS真空镀膜机技术参数型号:HMDS-090-DM容积:90L加热方式:内腔体外侧加温控温范围:R.T.+10~200℃温度分辨率:0.1℃控温精度:±0.5℃隔板数量:2PCS真空度:常压~<133Pa或1TORR以下真空泵:抽气速度4升/秒,型号DM4电源:AC220/50HZ额定功率:3.0KW内胆尺寸mm:宽450*深450*高450外形尺寸mm:宽650*深640*高1250连接管:316不锈钢波纹管,将真空泵与真空箱完全密封无缝连接HMDS-210-DM真空镀膜机技术参数:电源电压:AC380V/50Hz输入功率:4000W控温范围:室温+10℃-200℃温度分辨率:0.1℃温度波动度:±0.5℃真空度:常压~<133Pa容积:210L内室尺寸(mm):560*640*600外形尺寸(mm):720*820*1425载物托架:3块时间单位:分钟

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箱式溶剂干燥器

箱式溶剂干燥器

  • 品牌:
  • 型号: 箱式溶剂干燥器
  • 产地:美国
  • 箱式溶剂干燥器*根据配置,可在几分钟内干燥多达75 ml溶剂*Karl Fisher试验结果显示在THF中水氧含量小于10PPM*可为特定反应干燥定量溶剂*最大化减少溶剂损失*再生处理之前,一个柱子可运行5次*干燥柱易于开关*干燥介质可用户自行更换*干燥柱可用户自己完成再生*便捷的箱式设计消除了意外泄漏*无需真空泵*无需防火柜*无需惰性气体源*易于安装在任何干燥箱中

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高分解离子束镀膜仪

高分解离子束镀膜仪

  • 品牌:
  • 型号: 681
  • 产地:美国
  • 仪器简介:型号681离子束镀膜仪 用于扫描电镜和透射电镜的离子束镀膜系统 型号681离子束镀膜仪采用独特的离子溅镀技术得到连续,超薄,无定形像镀膜样品,非常适用场发射扫描电镜(FESEM)和透射电镜(TEM)的需要。与只能得到粗糙喷镀效果的传统镀膜技术如热蒸镀、电磁管或RF溅镀等相比,具有非常明显的优势。 两束离子源能够提供高速的溅镀速率,根据耙材、离子束强度和镀膜厚度的不同,镀膜时间范围从10秒到2分钟不等。 WhisperlokTM 机械装置能够在装样和换样时保持腔体的真空状态,避免再次抽真空,真正实现“快速换样”(<1分钟)。另一个重要特点是能够提供不同的样品旋转和摇摆速率,确保样品镀膜均一。 TEM WhisperlokTM 适配器(可选配)适用于所有TEM或SEM侧插样品载台的制造。如果需要,样品可以使用TEM生物冷冻样品载台在较低温度下镀膜。 多重耙材:耙材交换仪器可以在保持真空的情况下极短时间内选择两个可用耙材中的任意一个。增加第二个耙材交换仪器(可选配)即可再增加两个耙材,用户可以同时使用四个耙材中的任意两个。隐藏在腔体内的耙材完全与溅射污染物隔离。 Gatan离子束镀膜仪是一台具有便捷、高效以及可靠性特点的精密台式装置。通过它能够得到超细晶粒/非晶及非人工镀膜,能够满足高分辨率场发射电镜的更高要求。样品能够快速镀膜且只产生极小的热量。 可选配的测膜厚度仪(FTM)能够连续测量沉积速率并不断改进控制膜厚度。 规格: 离子源 离子枪 两个潘宁离子枪与微型稀土永磁体 离子束能量 1.0 KeV 到10.0 KeV 离子束直径 约1mm FWHM 离子电流密度 峰 10mA/cm2 气体流量 氩气 0.1cc/分/枪 Airlock组装 样品载台 接纳1英寸(31mm)金相套和多种SEM短截线 样本旋转速率 可变速率10-60rpm 样品倾斜角度 固定角度或可变摇摆角度(0° - 90°) 样品摇摆速率 可变速率5°/秒 - 36°/秒 选配 用于侧插TEM的TEM适配器或SEM样品载台 镀膜 镀膜速率 10.0KeV下约0.5 /秒 碳 及 1.5 /秒 铬 镀膜范围 均匀直径超过1英寸 耙材装置 一方双重耙材,可在真空状态下从外直接选择耙材 耙材材质 四种耙材选择(见详细清单) 真空 干燥泵系统 两个部分,隔膜泵搭配一个60 升/秒分子泵 真空计 样品腔冷阴极规,搭配固态压力传感器 样品调换 Gatan专利 WhisperlokTM,样品更换时间<1分钟 液态氮阀 约5小时容量(标准) 尺寸及功率 总尺寸 560mmW x 480mmD x 430mmH (22W x 19D x 17H) 货运重量 45kg (100 lbs) 电源要求 通用电压 100VAC-240VAC,50/60Hz 用户需确定电源型号以保证正确的线路 能量消耗 运行时需200瓦特,离子枪关闭时需100瓦特 气体需求 氩气 70psi (4.82 bar) 保修 一年

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精密刻蚀镀膜仪

精密刻蚀镀膜仪

  • 品牌:
  • 型号: 682
  • 产地:美国
  • 仪器简介:型号682精密刻蚀镀膜仪(PECS) 用于SEM、TEM和EM方面的精密刻蚀镀膜系统 PECS是一台理想的具有斜面切割,样品刻蚀和离子溅射镀膜功能的仪器,其刻蚀和溅射镀膜系统中独一无二的离子束能够形成镀膜范围大、干净以及可视的样品满足扫描电镜(SEM),透射电镜(TEM)以及光学显微镜(LM)的需求。PECS中独一无二的设计结构使其成为非常通用的仪器,可选配型号682.40000的斜面切割工具,它是用于切割横截面部分的独特工具。技术参数:规格: 离子源 离子枪 三个潘宁离子枪与微型稀土永磁体 离子束能量 1.0 KeV 到10.0 KeV 离子束直径 刻蚀枪 5mm FWHM;溅射枪 1mm FWHM 离子电流密度 峰 10mA/cm2 气体流量 氩气 0.1cc/分/枪 刻蚀范围 根据离子枪能量为7mm-10mm不等 刻蚀速率 10.0keV下,硅材料约10m/小时,钨材料约3m/小时 Airlock组装 样品载台 接纳1英寸(31mm)金相套和多种SEM短截线 样本旋转速率 可变速率10-60 rpm 样品倾斜角度 固定角度或可变摇摆角度(0° - 90°) 样品摇摆速率 可变速率5°/秒 - 36°/秒 选配 用于侧插TEM的TEM适配器或SEM样品载台 镀膜 镀膜速率 10.0KeV下约0.5 /秒 碳 及 1.5 /秒 铬 镀膜范围 均匀直径超过30mm 耙材装置 一方双重耙材,可在真空状态下从外直接选择耙材 耙材材质 四种耙材选择(见详细清单) 厚度监控器 标准-显示镀膜速率和全部镀膜厚度 真空 干燥泵系统 两个部分,隔膜泵搭配一个70 升/秒涡轮泵 压力 5E-6 托(6.6E-4Pa)基本压力 6E-5 托(8E-3Pa)工作压力 真空计 样品腔冷阴极规,搭配固态压力传感器 样品调换 Gatan专利 WhisperlokTM,样品更换时间<1分钟 液态氮阀 约5小时容量(标准) 活性碳过滤器 真空排气装置,以减少碘蒸汽排放到安全标准 尺寸及功率 总尺寸 560mmW x 480mmD x 430mmH (22W x 19D x 17H) 货运重量 45kg (100 lbs) 电源要求 通用电压 100VAC-240VAC,50/60Hz 用户需确定电源型号以保证正确的线路 能量消耗 运行时需200瓦特,离子枪关闭时需100瓦特 气体需求 氩气 70psi (4.82 bar) 替代气体(其它惰性)20psi (1.38 bar) 碘蒸汽用于反应离子束刻蚀(结晶碘由用户自行提供)主要特点:湿化学刻蚀的替代或补充 可控的重复性结果(离子枪电压,离子束电流和刻蚀时间) 刻蚀和镀膜在同一真空腔内进行减少样品处理 样品刻蚀后立即镀膜,排除样品污染 包括一个膜厚度监控器精确控制薄膜厚度 高样品生产量,专利Whisperlok能快速、简单进行样品交换 Whisperlok具有使样品同时旋转和摇动保证刻蚀和镀膜均匀的特点 反应离子束刻蚀(RIBE系统) 无化学处理或操作安全 PECS使用手册 一般来说,如果材料的组成具有不同的化学性质,通过常规化学刻蚀方法不可能揭示一种不同组成的材料其各个相的结构。但离子束刻蚀技术在这些实例中效果不错。这种方法在金相学中比较重要的一个用途是用于具有极端不同化学潜能的金属化学物的刻蚀。应用实例显示,通过离子束刻蚀方法可以证明不同种类材料是通过不同加工工艺制得。 测试过程和结果 PECS(精密刻蚀镀膜系统)中包含离子束刻蚀系统。系统中的大离子束源产生一个光束直径为10mm的垂直入射离子束源给样品,根据离子枪参数(离子枪电压和离子束电流)。使试样倾斜,如改变入射角以及刻蚀过程中旋转试样,刻蚀直径可以进一步扩大。虽然金属的各种化学组成非常不同,离子束刻蚀却可以同时且完全地揭示各化合物的结构。DIC(微分干涉对比)可以用来增强由离子轰击产生的刻蚀引起的特性反差。单个化合物溅射范围在优化离子束刻蚀复合材料方面具有重要作用。虽然表面层和底层化学特性有巨大差异,但是其溅射范围相近。 可选配斜面切割工具 型号682.40000斜面切割工具(SC-Tool)- 提供均质/非均质材料横截面可组合切割并最小化减少其机械变形或损坏。 现有 使用精密刻蚀镀膜仪(PECS)的SEM技术是一本32页的小册子,配以使用Gatan PECS得到的高质量照片以及利用PECS如何达到最佳结果的“方法”。主要包括清洁、镀膜、刻蚀、金相、EBSD、DIE包覆、以及碳、铬、铂、金、钯的溅射速率表。。

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多发射极晶体管刻蚀

多发射极晶体管刻蚀

  • 品牌:
  • 型号: 683
  • 产地:美国
  • 仪器简介:型号683金属刻蚀 离子束刻蚀金相材料的制备 金相刻蚀仪提供一个离子束刻蚀是有多功能的PECS系统的一种功能。其成本经济,价格适宜,且使用新一代仪器制备金相样品时不需要溅射镀膜。典型应用包括扫描电子显微镜(SEM或高分辨率FESEM)和光学显微镜(LM)。高质量样品在一个干净的环境中制备,过程可控且结果可重复。离子束刻蚀技术可以避免湿化学刻蚀所带来的危险及消耗。金相刻蚀仪提供众多独具特色技术比如682.40000斜面切割工具,适用于横截面切割方面的特殊工具。 化学刻蚀的替代或补充 简易使用可重复的结果与控制 减少样品处理 无样品污染 高样品生产量,专利Whisperlok能快速、简单进行样品交换 Whisperlok具有使样品同时旋转和摇动保证刻蚀和镀膜均匀的特点 低成本的所有权 反应离子束刻蚀(RIBE系统) 无化学处理或操作安全

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682.400斜面切割工具

682.400斜面切割工具

  • 品牌:
  • 型号: 682.400
  • 产地:美国
  • 仪器简介:可选配斜面切割工具 型号682.40000斜面切割工具(SC-Tool)- 提供均质/非均质材料横截面可组合切割并最小化减少其机械变形或损坏。 规格: 离子源 离子枪 一个潘宁离子枪与微型稀土永磁体 离子束能量 1.0 KeV 到10.0 KeV 离子束直径 5mm FWHM 离子电流密度 峰 10mA/cm2 气体流量 氩气 0.1cc/分/枪 刻蚀范围 根据离子枪能量为7mm-10mm不等 刻蚀速率 10.0keV下,硅材料约10m/小时,钨材料约3m/小时 Airlock组装 样品载台 接纳1英寸(31mm)金相套和多种SEM短截线 样本旋转速率 可变速率10-60 rpm 样品倾斜角度 固定角度或可变摇摆角度(0° - 90°) 样品摇摆速率 可变速率5°/秒 - 36°/秒 选配 用于侧插TEM的TEM适配器或SEM样品载台 真空 干燥泵系统 两个部分,隔膜泵搭配一个70 升/秒涡轮泵 压力 5E-6 托(6.6E-4Pa)基本压力 6E-5 托(8E-3Pa)工作压力 真空计 样品腔冷阴极规,搭配固态压力传感器 样品调换 Gatan专利 WhisperlokTM,样品更换时间<1分钟 活性碳过滤器 真空排气装置,以减少碘蒸汽排放到安全标准 尺寸及功率 总尺寸 560mmW x 480mmD x 430mmH (22W x 19D x 17H) 货运重量 45kg (100 lbs) 电源要求 通用电压 100VAC-240VAC,50/60Hz 用户需确定电源型号以保证正确的线路 能量消耗 运行时需200瓦特,离子枪关闭时需100瓦特 气体需求 氩气 70psi (4.82 bar) 替代气体(其它惰性)20psi (1.38 bar) 碘蒸汽用于反应离子束刻蚀(结晶碘由用户自行提供) 保修 一年 斜面切割工具 斜面切割工具是标准PECS载台的一个直接替代工具 Gatan的精密刻蚀镀膜仪(PECS)是一个多功能的仪器,根据操作条件和参数提供各种功能应用于透射电镜和扫描电镜。这些特点包括离子束清洗、平滑、细化、选择性刻蚀、溅射镀膜和斜面切割。单独使用斜面切割得不到高质量图像适应当今扫描应用所需;但当配合使用PECS,其独特切割、刻蚀和镀膜一体的特点使得样品图像具有高清晰度和高质量。 什么是离子束斜面切割? 斜面切割技术是一个样品使用平行离子溅射后,再由一个屏幕观测器检测其明显边界,在未溅射部分与溅射部分之间进行斜面切割。这个斜面切穿材料而且无变形。使用离子束切割的时候,因为离子束是从上方打下来,不可以选择刻蚀的区域。无论什么样的材料,都可以被切割成一个平滑的表面。摇动样品可避免折皱。 斜面切割基本原理 斜面切割使用的材料: l 难刨光软性材料:铜、铝、金、铅或无铅焊料。 l 难切割硬性材料:陶瓷、碳化物和这些材料的复合材料。 由斜面切割工具制得的横截面部分适合于能谱仪、波谱仪、螺旋钻和EBSD分析、观察和测量,也适合多层结构测量。 离子束斜面切割表面可以进一步改进离子束额外的加工步骤。定向短离子特定轰击斜面有助于消除再沉积,也有助于选择性刻蚀切割面以增强内部颗粒和相结构的清晰度。 型号682 PECS斜面切割 PECS斜面切割技术 PECS斜面切割在横截面刨光类(CP)工具中具有多重优点。 离子束加工三个步骤: 步骤一:斜面切割 步骤二:选择性刻蚀 步骤三:如需要溅射镀膜 步骤一 斜面切割 PECS的优点: 1. 切割90° 横截面部分(半导体) 2. 切割45° 横截面部分(均相/非均相) 3. 切割30° 横截面部分(均相/非均相) 4. 长切割长度 8mm(相对于1.5mm) 5. 切割的深度由以下因素决定 l 离子束电压(2.5keV - 10.0keV) l 离子束电流(10.0keV下最大610 uA) l 材料 l 时间 6. 由于PECS斜面切割工具不能破坏初级上层表面因此使用3D观测器观察各相异性固相结构,进一步提高样品检测结果: l SEM顶部观测(初级表面) l SEM观察切割斜面 l SEM观察溅射范围 步骤二 选择性刻蚀(不适用于横截面刨光类工具) 1. 选择性离子束刻蚀和/或刨光 l 能够装饰切割表面 l 揭露内部颗粒/相结构 l 刻蚀确定表面分布 2. 离子束刻蚀可选择多种气体 l 氩气 l 疝气 l 氪气 l 碘蒸汽 步骤三 溅射镀膜(不适用于横截面刨光类工具) 1. 如需要溅射镀膜 2. 高分辨率显微镜离子束镀膜消除电荷 3. 超过20种耙材可供选择 PECS刻蚀和斜面切割应用 1. 控制样品去除材料时无机械损伤(深度压型或免除机械损坏)。 2. 通过惰性气体或反应离子选择性离子束刻蚀多晶体和不同种类材料的颗粒,相,缺陷结构。 3. 离子束斜面切割(IBSC)对于大部分试样材料(金属、合金、复合材料、半导体、陶瓷、高分子、生物材料),都可以在显微镜下精确选定的位置无损切割任何所需角度的表面。 l 界面(硬/软材料组合) l 层体系(厚、薄膜技术) l 改进近表面地区(如变形、放射或腐蚀) l 微观结构(集成电路、化学键接触) l 非大量材料(多孔材料、金属丝、粉末、独立的金属箔片)。 4. 扫描电镜中观察所用的绝缘体需通过离子束溅射镀膜覆盖来导电或为了其他原因(离子束斜面切割之前样品表面需镀膜用以保存或标明原样品表面)。 一般同类产品的工具其特殊功能只有一个 - 离子束垂直切割通过不同种类样本。而PECS则不同,它可以随意选择刻蚀或溅射镀膜工艺。和其他工具相比PECS具有多功能、多重处理功能的特点,各类样品和应用领域都可以使用,并且PECS还可以容纳更大尺寸的样品。

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电镜专用高真空镀膜仪

电镜专用高真空镀膜仪

  • 品牌:
  • 型号: Cresstington 108Auto/208HR
  • 产地:英国
  • Cressington 108Auto/208HRSPUTTER COATER 超高分辨溅射镀膜仪分子泵超高分辨镀膜,放大倍率可到30-60万倍也不会看到镀膜颗粒,适用于现阶段超高分辨场发射或双束电镜使用如FEI Nova,Megglen,Verios,Helios等; Hitachi SU8000,SU8200,S4800,9000等; JEOL 7600F 7800F等; ZEISS Merlin,Ultra,Auriga;?专利磁控冷态喷镀专利冷态镀膜设计使用真正的“平衡磁控管”没有等离子体电流在样品,在得到高分辨非晶镀膜层同时避免样品受到热损伤,对热损伤或辐照损伤敏感样品尤为适合?广泛的镀层靶材选择特殊双极磁控管头设计和有效的气体离子处理使得208HR拥有广泛多种镀层靶材选择?全自动化设计自动的换气与泄气功能,溅射电流和电压通过磁控头的传感线监控,蒸发源作为反馈回路中的一部分被控制保证了均匀一致的膜厚,和最佳的导电喷镀效果。?超高精度膜厚监控设计使用可选MTM-20全自动高分辨膜厚监控仪可优化设计镀膜条件达到0.1nm膜厚可控效果?多用途样品托设计独立的旋转,水平和倾斜 3轴移动设计优化了多样品以及不规则样品的均匀一直镀膜?可变的样品室几何设计为了优化镀层结构样品室几何设计可用于调整喷镀速度从1.0纳米每秒到0.002纳米每秒?广泛的操作气体压力独立的电压,电流以及压力回路控制系统允许可操作氩气压力从0.2-0.005mbar真空度?紧凑型时尚桌面式设计节能,紧凑设计消除了对于楼层空间要求,水要求和专业电气连接要求镀膜不同多样样品超高分辨208HR镀膜系统现在针对喷镀不同电镜样品提供了最理想的解决方案。为了减小喷镀晶粒尺寸影响,208HR提供一套全系列的镀膜靶材材料和前所未有的膜厚镀层控制条件。为了更小优化充电效果,208HR的特殊样品台设计和大范围的操作压力提供了高精度的镀膜一致性和统一性。 高低样品室的配置也提供了更为方便的工作距离调整。可调式旋转倾斜水平样品台超高分辨全自动膜厚监控仪 MTM-20208HR超高分辨镀膜仪技术规格:样品仓尺寸: 150mm 直径, 可调高度: 165mm - 250mm,高强度不锈钢结构溅射管头:低电压平面磁控管,靶材更换快速,环绕暗区护罩喷镀靶材:铬,铂/钯 标配, 金,钨,铜,铝,铱,银等选配,其他材料按客户需求提供溅镀优点:基于微处理器反馈控制,远程电流/电压感应;提供真空安全联锁装置,最大180A,配有过流保护,数字化可选电流(20,40,60 或80毫安)样品台:可放置12个标准EM样品座,0到90度倾斜可调的旋转水平样品座,石英晶体探头模拟计量:真空 Atm - 0.001mb 电流: 0 100mA控制方式: 全自动喷镀控制,自动卸真空自动进气功能,使用可编程电压控制和计时数字计时 (0 300秒)以及暂停设计;全自动真空监测系统真空系统: 标配无油分子泵真空以及机械泵真空系统,泵抽速达到每秒80L,1.5分钟内抽到真空度到1x10-4 mbar, 极限真空优于5x10-6 mbar,附带减震台的桌面式真空泵设计,全金属耦合系统全自动超高分辨膜厚监控仪技术规格:MTM-20 基于微处理控制,4位显示系统,6MHZ晶体监探器,每秒5次实时监控 MTM-20膜厚监控范围: 0到999.9纳米分辨率: 优于0.1纳米密度范围:0.50到30.00gm/cm3安装环境要求:电源:200-240 VAC, 50/60Hz功率:550VA氩气要求:99.99% 纯氩气,压力设定0.5/0.6 bar, 6.0mm管路接口设备尺寸:宽600mm, 深600mm,高450mm, 重量40kG 备注:为保证销售渠道正规,配套方案先进及统一的市场管理和售后服务,英国cressington在各个国家都只设唯一授权代理,中国官方授权总代为:溢鑫科创Yi Xin Technology,详细信息请参考英国原厂官方网址:

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伯东优德w88德国普发Pfeiffer真空镀膜机

伯东优德w88德国普发Pfeiffer真空镀膜机

  • 品牌: 德国普发真空
  • 型号: classic
  • 产地:德国
  • 伯东优德w88授权代理德国普发pfeiffer 镀膜机-灵活设计适合技术研究、开发和生产,可实现高真空蒸发镀膜,磁控溅射镀膜,离子镀.Pfeiffer Classic 系列镀膜机(高真空镀膜系统)经过大量实验和技术知识积累研发设计,通过ISO 9001认证, ISO 14001认证,低能耗主要应用领域: 半导体,光学,微电子学,显示屏,光电工程,表面处理等行业.Pfeiffer 镀膜机主要型号包含:Pfeiffer Classic 250 镀膜机(科研,小型研发)Pfeiffer Classic 500 镀膜机(科研,小规模生产)Pfeiffer Classic 570 镀膜机 (批量生产)Pfeiffer Classic 580 镀膜机 (生产线大批量生产)Pfeiffer Classic 590 镀膜机 (高吞吐量,通用的制造系统,满足最高工业需求)Pfeiffer Classic 620 镀膜机 (最大吞吐量)伯东优德w88pfeiffer 德国普发镀膜机 Classic 500,选用pfeiffer分子泵 Hipace 700,可定制,我司将竭诚为您服务pfeiffer 德国普发镀膜机 Classic 500 技术参数:真空腔体容量150 l内部尺寸500 mm高度575 mmDoor OpeningW x H 500 x 575 mm整机漏率<1x10-5 mbar x l /s最终压力<5x10-7 mbar高真空泵组(标准型)分子泵Hipace 700隔膜泵MD4旋片泵DUO 20真空测量全量程真空计电源电压3 x 400 V频率50/60 HZ水冷Chamber Usage approx (a)500 l/hPump Set Usage approx (a)15 l/h进气温度25 °C压力4 6 barIn- and Outlet Nipple3/4"Hot WaterChamber Usage approx (a)500 l/h进气温度70 °C压力4 6 barIn- and Outlet Nipple3/8"尺寸占地面积1.4 m2L x W x H1,4 x 1 x 1,9 m重量600 kg最大环境温度40 °C伯东优德w88 主要经营产品 德国 Pfeiffer 涡轮分子泵, 干式真空泵, 罗茨真空泵, 旋片真空泵; 应用于各种条件下的 真空测量(真空计, 真空规管); 氦质谱检漏仪;质谱分析仪;真空系统以及 Cryopump 冷凝泵/低温泵, HVA 真空阀门, Polycold 冷冻机和美国KRI 离子源.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请登录我们网站: www.hakuto-vacuum.cn或与市场部: 叶南 小姐联系Tel: 86-21-5046-3511转106Fax: 86-21-50461490Mobile: 86 13816124243E-mail: ec@hakuto-vacuum.cn

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伯东优德w88真空镀膜机

伯东优德w88真空镀膜机

  • 品牌: 德国普发真空
  • 型号: pfeiffer classic系列
  • 产地:德国
  • 伯东优德w88德国普发pfeiffer 镀膜机-灵活设计适合技术研究、开发和生产,可实现高真空蒸发镀膜,磁控溅射镀膜,离子镀.Pfeiffer Classic 系列镀膜机(高真空镀膜系统)经过大量实验和技术知识积累研发设计主要应用领域: 光学,微电子学,显示屏,光电工程,生物医学工程等行业.价格电议:021-50463511Pfeiffer 镀膜机主要型号包含:Pfeiffer Classic 250 镀膜机(低成本实验室系统,用于开发研究)Pfeiffer Classic 500 镀膜机(最受欢迎的镀膜机,用于系统研究、开发和批量生产)Pfeiffer Classic 570 镀膜机 (紧凑设计适合工业使用)Pfeiffer Classic 580 镀膜机 (通用的制造系统,满足最高工业需求)Pfeiffer Classic 590 镀膜机 (高吞吐量,通用的制造系统,满足最高工业需求)Pfeiffer Classic 620 镀膜机 (最大吞吐量)pfeiffer 镀膜机主要优势:可搭配多种泵组(涡轮分子泵、低温泵或油扩散泵)pfeiffer 镀膜机真空腔体可冷却可加热,极限真空度最高可达 < 5 10-7 mbar,腔体漏率 < 1 10-5 mbar l/s真空腔体大小 35 至 1300 l(特殊尺寸可定制)镀膜机各种尺寸大小,根据实际应用和气体吞吐量决定内置各种标准配件,坚固耐用满足严苛工业环境低运营成本,易维护,兼容洁净室通过附加配件升级镀膜机功能pfeiffer 镀膜机所有真空腔体均是不锈钢材质pfeiffer 镀膜机工艺:pfeiffer 镀膜机蒸镀过程优势:抗反射涂层耐划伤性涂料激光面镜接触金属化合金的沉积(Co-evaporation)pfeiffer 镀膜机磁控溅射介绍:除了高真空蒸镀系统,伯东优德w88德国普发pfeiffer 也提供磁控溅射腔体可选load-lock.相应型号Classic 250 to 570,有标准版本供选择或根据溅射过程选择(SP)定制版本可用于:金属层(金、铜、铝、铬、…)电介质层(二氧化硅,氧化铝,…)透明导电层(ITO磁层合金的沉积(co-sputtering)伯东优德w88 主要经营产品 德国 Pfeiffer 涡轮分子泵, 干式真空泵, 罗茨真空泵, 旋片真空泵; 应用于各种条件下的 真空测量(真空计, 真空规管); 氦质谱检漏仪;质谱分析仪;真空系统以及 Cryopump 冷凝泵/低温泵, HVA 真空阀门, Polycold 冷冻机和美国KRI 离子源.伯东优德w88协助客户选型并提供完善的售后服务,我司将竭诚为您服务!若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请登录我们网站: www.hakuto-vacuum.cn或与市场部: 叶南 小姐联系Tel: 86-21-5046-3511转106Fax: 86-21-50461490Mobile: 86 13816124243E-mail: ec@hakuto-vacuum.cn

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108镀膜仪

108镀膜仪

  • 品牌: 美国泰德派勒
  • 型号: 108Auto
  • 产地:美国
  • 技术参数:l自动的换气与泄气功能,可以得到一致的膜厚,和最佳的导电喷镀效果。l通过高效低压直流磁控头进行冷态精细的喷镀过程,避免样品表面受损。l操作容易快捷,可全自动或手动进行喷镀操作,控制的参数包括自动放气以及氩气换气控制。l在自动模式下,可通过两种方式进行控制镀膜过程。可通过数字显示器控制得到可重现的喷镀效果,l数字化的喷镀电流控制不受样品室内氩气压力影响,可得到一致的镀膜速率和最佳的镀膜效果。l可使用多种金属靶材:Au,Au/Pd,,Pt,,Pt/Pd(Au靶为标配),靶材更换快速方便。l样品室大小:直径120mmx120mm高(4.75x4.75")l样品台:可以装载12个SEM样品座,高度可调范围为50mml溅射控制:微处理器控制,安全互锁,可调,最大电流40mA,程序化数字控制l溅射头:低电压平面磁控管,靶材更换快速,环绕暗区护罩l模拟计量:真空:Atm-0.001mbar,电流:0-50mAl控制方法:自动气体换气和泄气功能,自动处理排序,带有“暂停”控制的数字定时器(5-300s),自动放气.整个操作亦可全手动控制。l真空泵:原装进口,抽气速率:6.0m3/小时,真空度到0.1mb所需时间30秒.l桌上系统:真空泵可置于抗震台上,全金属集成耦合系统l保修期:免费保修一年

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VTC-200真空旋转涂膜机

VTC-200真空旋转涂膜机

  • 品牌: 沈阳科晶
  • 型号: VTC-200
  • 产地:
  • VTC-200真空旋转涂膜机主要应用于大专院校、科研院所的实验室中的薄膜形成。本机利用高速旋转使粘滞系数较大的胶体、溶液等材料均匀地涂覆在样件表面。主要特点1、二段程序控制速度。2、真空吸附方式固定样件,操作简便。3、采用铸铝结构,运行稳定、噪音低。技术参数1、功率:70W2、转速:500-6000rpm3、时间:1-60s4、真空泵流速:>60L/min产品规格尺寸:500mm×400mm×400mm重量:30kg标准配件1、真空吸盘2、滴液器3、无油真空泵可选配件过滤器(真空泵用)

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VTC-100PA真空旋转涂膜机

VTC-100PA真空旋转涂膜机

  • 品牌: 沈阳科晶
  • 型号: VTC-100PA
  • 产地:
  • VTC-100PA真空旋转涂膜机适用于半导体、晶体、光盘、制版等表面涂覆工艺。本机可用于强酸、强碱性涂覆溶液的涂膜制备。主要特点1、真空吸附方式固定样件,操作简便。2、使用定位工具可将样件很容易地放在中心位置,以减少偏心而造成的震动或飞片。3、根据样件规格可以配用不同的吸盘,且更换方便简单。4、设有12组程序,每组包含6个运行阶段。5、电机启动快速稳定,可以保证涂层厚度的一致性和均匀性。技术参数1、电机功率:50W/24V2、速度范围:500-10000rpm3、程序运行:可储存12组程序,每组程序包含6个运行阶段4、增减速率设置范围:100rpm/s-2000rpm/s5、时间范围:0-60s6、吸盘:Φ19mm、Φ60mm7、本机可选配加热功能1)加温范围:室温150℃2)加热盖,水槽及吸盘采用耐高温材质聚四氟3)温度单独控制,与主机程序控制无关联产品规格尺寸:450mm×280mm×340mm重量:20kg标准配件1、真空吸盘(含O型圈)2、中心定位器(含4个定位柱)3、滴胶注射器(20ml)4、注射器支架5、无油真空泵6、橡胶管(含卡箍)可选配件过滤器(真空泵用)

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VTC-200P真空旋转涂膜机

VTC-200P真空旋转涂膜机

  • 品牌: 沈阳科晶
  • 型号: VTC-200P
  • 产地:
  • VTC-200P真空旋转涂膜机适用于半导体、晶体、光盘、制版等表面涂覆工艺。本机可用于强酸、强碱性涂覆溶液的涂膜制备。主要特点1、二段程序控制速度。2、真空吸附方式固定样件,操作简便。3、真空度最大可以达到-0.08MPa。4、使用定位工具可将样件很容易地放在中心位置,以减少偏心而造成的震动或飞片。5、根据样件规格可以配用不同的吸盘,且更换方便简单。6、电机启动快速稳定,可以保证涂层厚度的一致性和均匀性。7、本机可置于手套箱内使用,但控制部分与真空泵需置于箱外。技术参数1、功率:350W2、转速:500-6000rpm3、时间:1-60s产品规格尺寸:Φ250mm×290mm重量:25kg标准配件1、真空吸盘2、O型胶圈3、滴液器4、滴液器支架5、无油真空泵可选配件过滤器(真空泵用)

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MSK-USP-04C超声喷雾热解涂膜机

MSK-USP-04C超声喷雾热解涂膜机

  • 品牌: 沈阳科晶
  • 型号: MSK-USP-04C
  • 产地:
  • MSK-USP-04C超声喷雾热解涂膜机采用步进电机和微处理器来控制容积泵来精确输送溶剂。一个超声波雾化器可以制备厚度较薄的微纳米涂层,并且由一步进电机控制可在X轴和Y轴方向移动,以确保涂层的均匀性。同时基底温度可以进行控制,以满足实验需要。主要特点喷雾热解制膜法,是将溶液雾化后喷涂到加热的基底上,然后在基底上得到想得到的物质结构。此种材料制备方法特别适用于沉积氧化物,而且在制备透明电极的应用中已有相当长的历史。现在这种方法在制备钙钛矿型太阳能电池中得广泛应用。技术参数1、电源:220V 50Hz/60Hz2、超声波雾化器:50KHz 100W 3、喷雾器在X轴和Y轴行程:1mm-200mm4、喷雾器移动速度:X轴方向10mm/s-800mm/s,Y轴方向10mm/s-100mm/s5、涂层间距:1mm-100mm6、Z轴高度最大调节量:60mm7、加热器平台:350mm×220mm 8、最高可加热温度:500℃9、标配注液器容积:20ml10、注液泵装载:直径不超过Φ30mm的注液器  11、注液速度:0.1mm/min-45mm/min,微调速度0.01mm/min-8mm/min12、行程设置范围:0.001mm-120mm产品规格尺寸:主机1550mm×750mm×750mm,注射泵250mm×225mm×170mm

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PTL-HT高温提拉涂膜机

PTL-HT高温提拉涂膜机

  • 品牌: 沈阳科晶
  • 型号: PTL-HT
  • 产地:
  • PTL-HT高温提拉涂膜机能够提供温度高达1000℃的提拉涂膜环境,广泛用于各种高温提拉涂膜研究。例如,陶瓷类薄膜、晶体类薄膜、电池材料薄膜、特殊纳米薄膜。本机能够适应未来高温条件下成膜技术的发展需要。主要特点1、普通提拉涂膜机都是提供200℃以下的温度环境,本机可以提供1000℃以下的高温环境,便于特殊材料的涂膜制备。2、可以在氮气、氩气等惰性保护气体气氛中使用,也可以在氧化气氛中使用。3、设有三段温区,且每段提拉速度均为无级调整。4、采用彩色触摸控制屏,方便数据输入,操作简单快捷。5、已通过CE认证。技术参数1、电源:220V2、功率:3KW(包括加热部分)3、提拉速度:1-200mm/min4、温度:RT-800℃产品规格尺寸:560mm×470mm×1550mm标准配件1、载样架2、载料杯3、高温提拉丝可选配件特殊提拉卡具

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PTL-MM01提拉涂膜机

PTL-MM01提拉涂膜机

  • 品牌: 沈阳科晶
  • 型号: PTL-MM01
  • 产地:
  • PTL-MM01提拉涂膜机通过垂直提拉在液相中的样件而生长薄膜。本机采用单板机控制,运行平稳准确,是大专院校、研究院所实验室的理想设备。主要特点1、可配用高达200℃恒温箱,提供稳定的恒温环境进行提拉涂膜。2、已通过CE认证。技术参数1、电源:220V2、功率:50W3、提拉速度:1-200mm/min4、速度稳定性:±0.05%5、样件尺寸:75mm×25mm×2.5mm产品规格尺寸:320mm×260mm×560mm重量:18kg标准配件1、防摆动控制座2、样件夹具3、载料杯4、提拉丝可选配件1、快速样件夹具2、提拉丝

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PTL-MM02程控提拉涂膜机

PTL-MM02程控提拉涂膜机

  • 品牌: 沈阳科晶
  • 型号: PTL-MM02
  • 产地:
  • PTL-MM02程控提拉涂膜机是专为研究液相外延薄膜而设计的,通过垂直提拉在液相中的样件而生长薄膜。本机采用PLC程序控制,可设定提拉速度、停留时间、入液速度、循环次数。主要特点1、采用彩色触摸屏,方便参数设置及调整。2、已通过CE认证。技术参数1、提拉速度:1-200mm/min2、速度稳定性:±0.05%3、样件尺寸:75mm×25mm×2.5mm产品规格尺寸:320mm×260mm×560mm重量:17kg标准配件1、样件夹具2、载料杯3、提拉丝

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PTL-MM02-8P提拉涂膜机

PTL-MM02-8P提拉涂膜机

  • 品牌: 沈阳科晶
  • 型号: PTL-MM02-8P
  • 产地:
  • PTL-MM02-8P提拉涂膜机是专为研究液相生长薄膜而设计的精密设备,通过垂直提拉在液相中的样件而生长薄膜,广泛应用于大专院校、科研院所等研究领域。本机采用高精度速度控制系统,以及触摸屏参数输入端,同时实现5个样件提拉涂膜的全自动控制。主要特点1、8个工位可分别设置不同的提拉速度、停留时间、干燥时间2、适用范围广。技术参数1、电源:220V 50Hz2、X轴速度:500-5000mm/min3、Z轴速度:1-200mm/min4、行程:65mm5、样件尺寸:75mm×25mm×2.5mm6、同时提拉样件数量:5个7、提拉工位:8个8、停留、干燥时间:1-999s9、循环次数:1-999次产品规格尺寸:900mm×520mm×540mm重量:20kg标准配件1、载料杯固定板2、夹子固定板3、载料杯4、夹子5、防护罩可选配件1、可根据您的需要订做不同尺寸的载料杯及载料杯固定架2、恒温水箱(功率:800W;恒温温度:RT-70℃;温度精度:不考虑环境影响为±1℃;容积:25L)

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